- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 17/16 - Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM utilisant des liaisons électriquement fusibles
Détention brevets de la classe G11C 17/16
Brevets de cette classe: 1255
Historique des publications depuis 10 ans
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36
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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SK Hynix Inc. | 11030 |
148 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
128 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
94 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
74 |
eMemory Technology Inc. | 358 |
67 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
49 |
Attopsemi Technology Co., Ltd | 70 |
44 |
Qualcomm Incorporated | 76576 |
42 |
Synopsys, Inc. | 2829 |
30 |
VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd. | 287 |
27 |
Texas Instruments Incorporated | 19376 |
24 |
Nanya Technology Corporation | 2000 |
22 |
SanDisk 3D LLC | 299 |
17 |
MagnaChip Mixed-signal, Ltd. | 181 |
17 |
Intel Corporation | 45621 |
16 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
15 |
Canon Inc. | 36841 |
15 |
SK Keyfoundry Inc. | 240 |
12 |
Toshiba Corporation | 12017 |
11 |
NXP USA, Inc. | 4155 |
11 |
Autres propriétaires | 392 |